Trang chủ / Giải pháp

Giải pháp bếp từ đơn chi phí thấp sử dụng phương pháp điều khiển liên tục

Trên thị trường hiện này có rất nhiều sản phẩm bếp từ đơn công suất thấp, sử dụng phương pháp điều khiển gián đoạn. Việc sử dụng phương pháp điều khiển này đã làm tốn nhiều điện năng tiêu thụ và thời gian làm nóng. Chính vì vậy,EPI xin giới thiệu đến khách hàng giải pháp thiết kế bếp từ đơn sử dụng phương pháp điều khiển liên tục của các hãng mà EPI đang phân phối chính thức như HOLTEK, TOSHIBA,….

Đây là giải pháp dành riêng cho bếp từ đơn có chức năng dao động tần số phần cứng PPG bên trong. Khi bếp từ hoạt động ở mức công suất cao,chức năng này có thể giảm điện áp IGBT (Vce) và nhiễu điện từ (EMI) một cách hiệu quả. Trong cùng điều kiện nguồn điện, giải pháp bếp từ đơn chi phí thấp này sử dụng kỹ thuật dao động tần số để điều chỉnh tần số chuyển mạch mạch cộng hưởng IGBT của bếp từ. Bằng cách này, khi gần đến giá trị đỉnh của nguồn điện, điện áp IGBT (Vce) có thể giảm một cách hiệu quả. Với việc chọn lọc và sự kếp hợp các linh kiện của các hãng mà EPI đang phân phối như: Holtek, Toshiba, Wayon, JCSC,…. EPI tự tin đem đến cho khách hàng giải pháp bếp từ đơn giá rẻ nhưng hiệu quả đem lại rất lớn.

Thông số kỹ thuật:

  • Dải điện áp đầu: 150-265VAC, 50/60Hz
  • Công suất tiêu thụ: < 5W
  • Công suất làm nóng: 100 – 2000W
  • Tính năng bảo vệ: thiết kế tối ưu với các tính năng bảo vệ quá dòng, quá áp, quá nhiệt

Tính năng vượt trội:

Các linh kiện chính được sử dụng trong mạch:

1. Induction Cooker Flash MCU: HT45F0059 – Holtek

Thông số kỹ thuật:

– Tần số cực đại: 16Mhz

– Điện áp hoạt động: 16 ~ 20V (typ:18V)

– Bộ nhớ Chương trình: 4Kx16

– Bộ nhớ dữ liệu: 256×8

– I/O: 12

– ADC: 12-bit x 9 channel

– Kiểu chân: 16NSOP

– Hỗ trợ các chế độ: FAST, SLOW , IDLE và SLEEP

Link sản phẩm: https://www.holtek.com/page/vg/HT45F0059

2. IGBT – GT30N135SRA, S1E(S – Toshiba

Thông số kỹ thuật:

– RC-IGBT bao gồm một diode quay tự do (FWD) được tích hợp nguyên khối trong chip IGBT.

– Nhiệt độ hoạt động cực đại: 175*C

– Điện áp ngược cực đại Vces : 1350V

– Dòng điện tại 100*C : 30A

– Chuyển đổi tốc độ cao: IGBT tf = 0,25µs (typ) (Ic = 60 A)

– Kiểu chân: TO-247

– Cực IGBT: N-Channel

Link sản phẩm: https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/semiconductor/product/igbts-iegts/igbts/detail.GT30N135SRA.html

  1. Touch A/D Flash MCU: BS86D20C – Holtek

– Điện áp hoạt động: 2.2 ~ 5.5V

– Bộ nhớ flash: 8K x 16

– Bộ nhớ EEPROM: 64×8

– Bộ nhớ dữ liệu: 768×8

– Số chức năng phím cảm ứng hỗ trợ: 20

– Giao tiếp : I2C và UART

– Bộ chuyển đổi A/D độ phân giải 12 bit 8 kênh ngoài

– Kiểu chân: 24/28 SOP

– Số đường I/O: 20

– Hỗ trợ 2 chức năng Time-Base để tạo tín hiệu ngắt thời gian cố định

Link sản phẩm: https://www.holtek.com/page/contentDetail?cYear=2018&cMonth=0&cCode=N5797990

4. Các linh kiện khác

– Cầu trì tự phục hồi LP080F – Wayon

– Cầu diode: GBJ2010 6GBJ – JSCJ

– LDO DC/DC Converter: CJ75L05 – JSCJ

– Led 7 thanh: KW4-40CCRB – Luckylight

Liên hệ EPI VietNam Technologies – Nhà phân phối chính hãng để nhận được sự tư vấn, hỗ trợ miễn phí sample, source code. https://epi-tech.com.vn/

Block diagram