Toshiba - TK024N60Z1: MOSFET công suất mới cho hệ thống hiệu suất cao

Toshiba được biết đến là thương hiệu hàng đầu về công nghệ bán dẫn, chính thức ra mắt dòng MOSFET kênh N mới TK024N60Z1, sử dụng công nghệ DTMOSⅥ tiên tiến với hiệu suất vượt trội.  

Trong những năm gần đây, nhu cầu về các sản phẩm có điện trở On thấp đã tăng để nâng cao hiệu quả của các mạch cung cấp điện. Mosfet mới đã được phát triển để đáp ứng nhu cầu, TK024N60Z1 đạt điện trở drain-source là 0.024Ω (tối đa), khiến sản phẩm trở thành điện trở On thấp nhất [1] trong dòng DTMOSⅥ 600V và giảm tổn thất dẫn điện. Đã làm cải thiện hiệu quả của nguồn điện và giảm tỏa nhiệt khi hoạt động.  

Ngoài ra, với cách tối ưu hóa thiết kế và quy trình cổng, dòng DTMOSⅥ 600V, đã giảm giá trị của điện trở drain-source trên một đơn vị diện tích khoảng 13% và điện trở drain-source, tăng hiệu suất của Mosfet.  

Toshiba cung cấp các công cụ hỗ trợ thiết kế mạch cho nguồn điện chế độ chuyển mạch. Cùng với mẫu G0 SPICE, có thể xác minh chức năng mạch trong thời gian ngắn, các mẫu G2 SPICE có độ chính xác cao, tái tạo chính xác các đặc tính hiện đã có sẵn. 

Thông số kĩ thuật: 

• Điện áp Drain-Source (Vdss): 600 V 

• Điện áp Gate-Source (Vgss): ±30 V 

• Dòng Drain liên tục (ID): 80 A 

• Công suất tiêu tán tối đa (Pd): 506 W 

• Điện trở dẫn (RDS(ON)) tối đa: 0.024 Ω tại Vgs = 10 V 

• Loại đóng gói: TO-247 

Ưu điểm: 

• Hiệu suất dẫn điện cao – RDS(ON) thấp 

• Chuyển mạch nhanh & tổn hao thấp 

• Tối ưu hóa cho hiệu suất hệ thống 

• Tản nhiệt tốt – Gói TO-247 

• Độ tin cậy cao, tuổi thọ dài 

Ứng dụng: 

• Bộ nguồn chuyển mạch (SMPS) 

• Bộ hiệu chỉnh hệ số công suất (PFC) 

• Bộ chuyển đổi LLC cho máy chủ và trung tâm dữ liệu 

• Hệ thống điện mặt trời và lưu trữ năng lượng

Xem thêm: TK024N60Z1

#ASEAN #AsiaPacific #FarEast #distributor #Global #electronicdistributor #PCBA