GeneSiC – G3F25MT06J: SiC MOSFET Hiệu Suất Cao, Độ Tin Cậy Vượt Trội

G3F25MT06J - SiC MOSFET (Silicon Carbide Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) với điện áp chịu đựng lên đến 650V và điện trở dẫn chỉ 20.5 mΩ. G3F25MT06J mang lại hiệu suất cao vượt trội, giúp giảm thiểu tổn thất năng lượng và tăng hiệu quả hoạt động của hệ thống. Sản phẩm thiết kế để giảm thiểu các đỉnh chuyển mạch và tổn thất, tạo động cơ chuyển mạch nhanh và hiệu quả hơn. Điều này đặc biệt quan trọng trong các ứng dụng yêu cầu tốc độ và độ chính xác cao.  

Ngoài ra, G3F25MT06J được kiểm tra 100% về khả năng chịu đựng và đạt tiêu chuẩn AEC-Q101, đảm bảo độ bền và độ tin cậy cao trong mọi điều kiện hoạt động. Thiết kế tối ưu hóa điện từ và diode thân mạnh mẽ cùng điện áp thấp và khả năng phục hồi nhanh giúp sản phẩm hoạt động ổn định và bền bỉ.  

G3F25MT06J lựa chọn phù hợp cho các ứng dụng như hệ thống sạc nhanh cho xe điện, hệ thống lưu trữ năng lượng, và nguồn cung cấp điện cho máy chủ và viễn thông,…. 

Thông số kỹ thuật: 

• Điện áp chịu đựng (Vds): 650V 

• Điện trở dẫn (Rds(on)): 20.5 mΩ 

• Dòng điện liên tục (Id): 77A 

• Điện áp cổng-ngưỡng (Vgs(th)): 2.5V 

• Điện dung đầu vào (Ciss): 2200 pF 

• Điện dung đầu ra (Coss): 150 pF 

• Điện dung ngược truyền (Crss): 50 pF 

• Nhiệt độ hoạt động (Tj): -55°C đến 175°C 

Ưu điểm: 

• Hiệu suất vượt trội 

• Chuyển mạch nhanh chóng 

• Độ bền và độ tin cậy cao 

• Giảm thiểu nhiệt độ khi mắc song song 

Ứng dụng: 

• Hệ thống sạc nhanh cho xe điện
• Hệ thống lưu trữ năng lượng, và nguồn cung cấp điện cho máy chủ và viễn thông
• Điều khiển động cơ,….

Xem thêm: G3F25MT06J

#FarEast #distributor #Global #electronicdistributor