Toshiba – TK068N65Z5: MOSFET công suất (N-ch) thuộc dòng DTMOS VI

TK068N65Z5 với diode tốc độ cao (DTMOSVI (HSD)) sử dụng cấu trúc siêu tiếp giáp và phù hợp với nguồn điện chuyển mạch hiệu suất cao cho các trung tâm dữ liệu kết hợp bộ điều hòa điện cho máy phát quang điện. Sản phẩm mới với quy trình DTMOSVI (HSD) sử dụng diode tốc độ cao để cải thiện các đặc tính phục hồi ngược quan trọng cho các ứng dụng mạch cầu và mạch biến tần. So với sản phẩm hiện có của Toshiba thuộc loại tiêu chuẩn DTMOSVI, TK068N65Z5 đạt được mức giảm khoảng 65% về thời gian phục hồi ngược và mức giảm khoảng 88% về điện tích phục hồi ngược.  

Ngoài ra, quy trình DTMOSVI (HSD) cải thiện các đặc tính phục hồi ngược sản phẩm hiện có của Toshiba thuộc dòng DTMOSIV với diode tốc độ cao (DTMOSIV (HSD)) và có dòng cắt ở cực thoát thấp hơn ở nhiệt độ cao. Sự tiến bộ của sản phẩm đã làm cắt giảm tổn thất điện năng của thiết bị và giúp cải thiện hiệu suất tốt, đáp ứng yêu cầu ứng dụng trong Trạm sạc EV, Bộ điều hòa điện cho máy phát điện quang điện, nguồn điện chuyển mạch, hệ thống điện liên tục,… 

Thông số kĩ thuật: 

• Điện áp chịu đựng (VDSS): 650V 

• Điện trở kênh (RDS(on)): 0.068 Ω @ 10V 

• Dòng điện tối đa (ID): 1.69A 

• Thời gian phục hồi ngược nhanh (trr): 135 ns (typ.) 

• Chế độ tăng cường (Vth): 3.5 đến 4.5 V (VDS = 10 V, ID = 1.69 mA) 

Ưu điểm: 

• Hiệu suất cao 

• Khả năng chịu đựng điện áp cao 

• Thời gian phục hồi ngược nhanh chóng 

• Thời gian chuyển mạch tốc độ ca

Ứng dụng: 

• Trạm sạc EV 

• Bộ điều hòa điện cho máy phát điện quang điện, nguồn điện chuyển mạch 

• Hệ thống điện liên tục,… 

Xem thêm: TK068N65Z5

Liên hệ EPI Vietnam Technologies – Nhà phân phối chính hãng của Toshiba tại Việt Nam để có hỗ trợ về kỹ thuật và giá tốt nhất