Wayon - WMM08N60C4: Super Junction Power MOSFET qua công nghệ cân bằng điện tích đạt hiệu suất cao

WMM08N60C4 sử dụng công nghệ cân bằng điện tích để đạt được điện trở thấp và hiệu suất cao. Với điện trở kênh chỉ 0.78Ω, sản phẩm làm giảm tổn thất điện năng và tăng hiệu suất hoạt động qua khả năng chịu đựng điện áp cao lên đến 600V, mosfet phù hợp cho các ứng dụng yêu cầu điện áp cao, đảm bảo an toàn và độ tin cậy.  

WMM08N60C4 có thể chịu được dòng điện liên tục 6A, công suất đến 45W đảm bảo hiệu suất ổn định trong các ứng dụng công suất cao. So với các sản phẩm khác trong cùng phân khúc, các sản phẩm Super Junction Power MOSFET của Wayon có lợi thế về điện trở kênh thấp và khả năng chịu đựng điện áp cao, giúp tối ưu hóa hiệu suất và độ bền. Lý do để Mosfet WMM08N60C4 luôn được ứng dụng trong bộ sạc và adapter, máy tính và TV LCD, hệ thống đèn Led chiếu sáng …. 

Thông số kĩ thuật: 

• Điện áp chịu đựng (VDS): 600V. 

• Điện trở kênh (RDS(on)): 0.78Ω (tối đa) khi VGS = 10V. 

• Dòng điện liên tục (ID): 6A tại nhiệt độ môi trường 25°C. 

• Công suất tiêu tán (PD): 45W tại nhiệt độ môi trường 25°C. 

• Điện áp ngưỡng cổng (VGS(th)): 3V (điển hình). 

• Package: TO-263 

Ưu điểm : 

• Điện trở kênh thấp (RDS(on)) 

• Khả năng chịu đựng điện áp cao 

• Dòng điện liên tục cao 

• Công suất lớn. 

Ứng dụng: 

• Bộ sạc và adapter 

• Máy tính và TV LCD 

• Hệ thống đèn Led chiếu sáng …. 

Xem thêm: WMM08N60C4

Liên hệ EPI Vietnam Technologies – Nhà phân phối chính hãng của Wayon tại Việt Nam để có hỗ trợ về kỹ thuật và giá tốt nhất.