Tiếng Việt 
English 
Toshiba - TRS20H120H: Diode Schottky Barrier Silicon Carbide (SiC) thuộc thế hệ thứ ba
Sản phẩm TRS20H120H, diode Schottky Barrier Silicon Carbide (SiC) linh kiện bán dẫn cho khả năng cải thiện hiệu suất và độ tin cậy trong các ứng dụng công nghiệp.
Với công nghệ Silicon Carbide (SiC), diode có khả năng hoạt động ở điện áp cao lên đến 1200V, và dòng điện lớn 20A, giúp cải thiện hiệu suất tổng của hệ thống. TRS20H120H có điện áp thuận thấp (Vf) chỉ 1.27V và tối đa 1.45V kết hợp với dòng điện ngược (Ir) 130uA tại điện áp ngược 1200V, giảm tổn thất điện năng trong quá trình hoạt động.
Ngoài ra, sản phẩm có thời gian phục hồi ngược gần như bằng 0, diode có khả năng tiết kiệm điện khi chuyển mạch và cải thiện hiệu suất chuyển đổi, hoạt động ở nhiệt độ cao lên đến 175°C giúp tăng độ bền và tuổi thọ của thiết bị.
TRS20H120H là sự lựa chọn lý tưởng cho các ứng dụng như bộ chỉnh lưu hệ số công suất (PFC), biến tần năng lượng mặt trời, nguồn UPS, bộ chuyển đổi nguồn DC-DC,…
Thông số kỹ thuật :
- Dòng điện thuận tối đa (If): 20A
- Điện áp ngược (V_rrm): 1200V
- Điện áp thuận(Vf): 1.27V (nominal), 1.45V (max)
- Dòng điện ngược (Ir): 130μA
- Nhiệt độ hoạt động tối đa: 175 °C
- Thời gian phục hồi ngược (T_rr): gần như bằng 0
Ưu điểm :
- Hiệu suất cao
- Tổn thất điện năng thấp
- Khả năng chịu nhiệt tốt
- Thời gian phục hồi ngược ngắn
- Dòng điện ngược thấp
Ứng dụng :
- Bộ chỉnh lưu hệ số công suất (PFC)
- Biến tần năng lượng mặt trời
- Nguồn UPS, bộ chuyển đổi nguồn DC-DC,...
Xem thêm : TRS20H120H
