TOSHIBA giới thiệu MẠCH THIẾT KẾ MẪU “PFC power supply for 3-phase 400V AC input” (RD004), sử dụng SiC MOSFETS

SiC MOSFET có gì ưu việt?

SiC MOSFET sử dụng một vật liệu mới, đạt được khả năng chịu điện áp cao, chuyển mạch tốc độ cao và điện trở bật thấp so với các sản phẩm silicon (Si) MOSFET, IGBT thông thường. Do đó, nó sẽ góp phần giảm tiêu thụ điện năng và giảm kích thước phù hợp cho các hệ thống yêu cầu nhỏ gọn và hiệu suất chuyển đổi năng lượng cao như hệ thống sạc trên ô tô điện, hệ thống điện mặt trời, hệ thống lưu trữ năng lượng.

Toshiba đưa ra thiết kế mẫu “PFC power supply for 3-phase 400V AC input” (RD004) – sử dụng mã SiC MOSFET TW070J120B giúp bạn rút ngắn thời gian nghiên cứu và phát triển sản phẩm. Thiết kế đạt được hiệu suất chuyển đổi lên tới 97% và hệ số công suất lớn hơn 0,99.

Links:

Thiết kế mẫu RD004: https://bit.ly/ref_design

Datasheet SiC MOSFET TW070J120B: https://bit.ly/datasheetSiC

Reference Design Center

Toshiba Electronic Devices & Storage cung cấp rất nhiều thiết kế mẫu khác nhau cho phát triển và thử nghiệm sản phẩm, có thể được download tại Reference Design Center trên website của hãng Toshiba.

EPI Vietnam Technologies- Nhà phân phối chính hãng của Toshiba Semiconductor tại Việt Nam

#ToshibaSemiconductor

#EPIVietnamTechnologies_AuthorisedDistributorOfToshiba

#referencedesign

#PFC_power_supply_for_3_phase_400V_AC_input

#SiC_MOSFET_TW070J120B