TOSHIBA ra mắt Diode TVS DF2B6M4BSL có điện dung cực thấp bảo vệ ăng-ten RF của các thiết bị IoT khỏi ESD

Trong hầu hết các ứng dụng bảo vệ sự phóng tĩnh điện thì Diode TVS là linh kiện điện tử phổ biến được sử dụng để kiểm soát điện áp tức thời, bảo vệ mạch trước khi chúng bị phá hủy.

Toshiba cho ra mắt Diode DF2B6M4BSL nhằm nâng cao khả năng bảo vệ mạch điện. Diode này cung cấp tổng điện dung 0,15pF (tối đa), mức thấp nhất do Toshiba từng cung cấp, thấp hơn khoảng 25% so với các sản phẩm hiện có của hãng. Nhờ việc sử dụng điện dung cực thấp để loại bỏ hiện tượng méo sóng hài bậc cao đã giúp nâng cao hiệu suất thu sóng của ăng-ten, đồng thời làm giảm tĩnh điện và nhiễu ảnh hưởng đến các thành phần.

Tổng điện dung cung cấp: Ct = 0,12pF/ 0,15pF, VR = 0V, f = 1MHz

Đặc tính sóng hài:

f = 2,4GHz, điều kiện đầu vào 20dBm

• Sóng hài bậc 2: -65,5dBm

• Sóng hài bậc 3: -54.4dBm

f = 5.0GHz, điều kiện đầu vào 20dBm

• Sóng hài bậc 2: -64.7dBm

• Sóng hài bậc 3: -55.5dBm

Điện áp đỉnh Vpeak: VCL-max-peak = 215V

Datasheet: https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/semiconductor/product/diodes/tvs-diodes-esd-protection-diodes/detail.DF2B6M4BSL.html