Toshiba - GT30N135SRA N-Channel IGBT hiệu suất cao cho giải pháp bếp từ

GT30N135SRA là dòng sản phẩm IGBT hiệu suất cao, với điện áp hoạt động tối đa (Vces) lên đến 1350V, dòng điện 30A tại 100*C, sản phẩm đảm bảo chất lượng và hoạt động ổn định. GT30N135SRA có thể đóng cắt nhanh chóng, khả năng chịu được áp lực lớn lên đến 1350V và độ chịu tải, sụt áp thấp. Việc sử dụng IGBT này của Toshiba giúp tiết kiệm điện năng, hoạt động ổn định, dễ dàng sử dụng. GT30N135SRA là sản phẩm hoàn hảo cho các ứng dụng về đồ gia dụng như bếp từ, mạch biến tần cộng hưởng điện áp, … 

 Thông số kỹ thuật: 

• RC-IGBT bao gồm một diode quay tự do (FWD) được tích hợp nguyên khối trong chip IGBT. 
• Nhiệt độ hoạt động cực đại: 175*C 
• Điện áp ngược cực đại Vces : 1350V 
• Dòng điện tại 100*C : 30A 
• Chuyển đổi tốc độ cao: IGBT tf = 0,25µs (typ) (Ic = 60 A) 
• Kiểu chân: TO-247 
• Cực IGBT: N-Channel 

 Ưu điểm:  

• Nhiệt độ hoạt động cao lên đến 175*C 
• Điện áp ngược cực đại Vces : 1350V  
• Dòng điện tại 100*C : 30A 
• Chịu tải cao, sụt áp thấp 
• Tiết kiệm điện năng, hoạt động ổn định, dễ dáng dụng. 
• Chuyển đổi tốc độ cao, đóng cắt nhanh chóng 

 Ứng dụng: 

• Thiết bị đồ gia dụng như Bếp từ 
• Chuyển mạch biến tần cộng hưởng điện áp 

Liên hệ EPI Vietnam Technologies – Nhà phân phối chính hãng của Toshiba tại Việt Nam để có hỗ trợ về kỹ thuật và giá tốt nhất. https://www.epi-tech.com.vn/    

#Bếp_từ 

#Đồ_gia_dụng 

#Chuyển_mạch_biến_tần_cộng_hưởng_điện áp