Toshiba SiC MOSFET hiệu suất cao và kích thước nhỏ cho thiết bị công nghiệp

Hai sản phẩm có dòng định mức lần lượt là 3300 V và 800 A. Sản phẩm mới sử dụng chip MOSFET silicon cacbua (SiC) và SBD (Schottky Barrier Diode) thế hệ thứ 3. Điều này giúp giảm tổn hao dẫn điện với tổn thất chuyển mạch khi bật chỉ 230 mJ và tổn thất chuyển mạch khi tắt chỉ 230 mJ. Với tất cả ưu điểm trên, MG800FXF1ZMS3 và MG800FZF1JMS3 mang lại sự tối ưu trong hiệu suất và giảm kích thước cho toàn bộ hệ thống, thích hợp cho các ứng dụng trong thiết bị công nghiệp, thiết bị điều khiển động cơ, hệ thống phát điện năng lượng tái tạo, và bộ biến tần và bộ chuyển đổi cho phương tiện đường sắt. 

Ưu điểm:  

• Điện áp cực drain-source thấp:  

VDS(on)sense=1,3 V (ID=800 A, VGS=+20 V, Tch=25 °C) 

• Tổn hao chuyển mạch khi bật thấp 

Eon=230 mJ (VDD=1800 V, ID=800 A, Tch=175 °C) 

• Tổn hao chuyển mạch khi đóng thấp 

Eoff=230 mJ (VDD=1800 V, ID=800 A, Tch=175 °C) 

Đặc điểm kỹ thuật:

• Kích thước: 122,5 x 100 x 40 mm  
• Nhiệt độ kênh Tch: 175 (° C) 
• Dòng xả (DC) ID: 800 (A) 
• Điện áp cực Drain-source VDSS: 3300 (V) 
• Điện áp cực Gate-source VGSS: 25 (V) 

Ứng dụng: 

• Thiết bị công nghiệp 
• Thiết bị điều khiển động cơ  
• Hệ thống phát điện năng lượng tái tạo 
• Bộ biến tần và bộ chuyển đổi cho phương tiện đường sắt 

Liên hệ EPI Vietnam Technologies – Nhà phân phối chính hãng của TOSHIBA tại Việt Nam để có hỗ trợ kỹ thuật và samples. 

#Toshiba 

#thiet_bi_cong_nghiep 

#dieu_khien_dong_co 

#nang_luong_tai_tao 

#bo_bien_tan