Toshiba - TK4R9E15Q5 : MOSFET công suất cao sử dụng quy trình U-MOSⅩ-H

TK4R9E15Q với điện trở Rds(on) thấp, chỉ 4.9mΩ ở 10V, giúp giảm thiểu tổn thất điện năng và tăng hiệu suất hoạt động. Thiết bị sử dụng diode tốc độ cao (HSD) nhằm cải thiện các đặc tính phục hồi ngược, tính năng vô cùng quan trọng đối với các ứng dụng chỉnh lưu đồng bộ, bằng cách giảm điện tích phục hồi ngược ít hơn khoảng 47% và thời gian phục hồi ngược nhanh hơn khoảng 44%.  

Thiết kế để ứng dụng trong chỉnh lưu đồng bộ, TK4R9E15Q giúp giảm tổn thất điện năng của nguồn điện chuyển mạch và cải thiện hiệu suất. Dòng mosfet hoạt động ổn định ở nhiệt độ lên đến 175°C, công suất tiêu tán 300W, đáp ứng tốt các ứng dụng yêu cầu công suất cao. TK4R9E15Q5 phù hợp cho các ứng dụng như bộ nguồn chuyển mạch (SMPS), Hệ thống năng lượng tái tạo, Thiết bị điện tử công suất cao, Automotive,….. 

Thông số kĩ thuật: 

• Điện áp thoát nguồn (Vdss): 150V 
• Dòng điện liên tục (Id): 120A ở 25°C 
• Điện trở Rds(on): 4.9mΩ ở 10V 
• Công suất tiêu tán (Pd): 300W 
• Nhiệt độ hoạt động tối đa (Tch): 175°C 
• Điện áp cổng nguồn (Vgss): ±20V 
• Dòng điện xung (Idp): 480A (t = 100 μs) 
• Thời gian phục hồi ngược (trr): 50 ns (typ.) 
• Điện tích phục hồi ngược (Qrr): 50 nC (typ.) 
• Điện tích cổng (Qsw): 26 nC (typ.)
• Dòng rò thoát nguồn (Idss): 10 μA (max) (Vds = 150V)
• Điện áp ngưỡng cổng (Vth): 3.1V đến 4.5V (Vds = 10V, Id = 2.2mA) 

Ưu điểm:  

• Công suất cao 
• Thiết kế tối ưu 
• Thời gian phản hồi và phục hồi nhanh 
• Ít tổn thất điện năng 

Ứng dụng:  

• Bộ nguồn chuyển mạch (SMPS) 
• Hệ thống năng lượng tái tạo 
• Thiết bị điện tử công suất cao, Automotive,….. 

Xem thêm: TK4R9E15Q

Liên hệ EPI Vietnam Technologies – Nhà phân phối chính hãng của Toshiba tại Việt Nam để có hỗ trợ về kỹ thuật và giá tốt nhất.