ĐIỂM TIN THỊ TRƯỜNG ĐIỆN TỬ W42.2024
1. ST hợp tác với Hua Hong để sản xuất chip MCU 40nm tại Trung Quốc
ST Microelectronics công bố quan hệ đối tác với nhà máy đúc bán dẫn Trung Quốc Hua Hong Semiconductor để sản xuất chip vi điều khiển MCU 40nm tại Wuxi vào cuối năm 2025. Với mục đích củng cố vị thế cạnh tranh của ST tại Trung Quốc, đặc biệt là trong lĩnh vực xe điện EV và công nghiệp đang phát triển nhanh chóng.
Jean-Marc Chery, CEO của ST cho biết: “Trung Quốc là thị trường xe điện lớn nhất và sáng tạo nhất thế giới, và để cạnh tranh hiệu quả ở đây đòi hỏi phải sản xuất tại địa phương. Nếu chúng tôi mất thị phần tại Trung Quốc, các công ty trong nước sẽ thống trị, tận dụng thị trường địa phương rộng lớn của họ làm bàn đạp để cạnh tranh trên toàn cầu”.
ST đã mở rộng sự hiện diện tại Trung Quốc trong những năm gần đây. Năm 2023, công ty đã hợp tác với Sanan Optoelectronics để thành lập liên doanh silicon carbide (SiC) tại Trùng Khánh, hướng đến chip hiệu suất cao cho xe điện. Công ty cũng áp dụng các phương pháp hay nhất và công nghệ học được ở Trung Quốc vào hoạt động toàn cầu để duy trì lợi thế cạnh tranh. Là nhà sản xuất chip SiC hàng đầu, với các khách hàng bao gồm Tesla và Geely, sự phụ thuộc của ST vào thị trường Trung Quốc làm nổi bật tầm quan trọng chiến lược của công ty.
Xem thêm : ST cooperates with Hua Hong to produce 40nm MCU chips in China
2. . Samsung bắt đầu lắp đặt thiết bị tại khu R&D bán dẫn NRD-K
Samsung Electronics đã công bố vào ngày 18 tháng 11 năm 2024 rằng Samsung đã tổ chức lễ lắp đặt thiết bị cho tổ hợp nghiên cứu và phát triển (R&D) bán dẫn thế hệ tiếp theo, NRD-K, đặt tại Giheung, Yongin, Hàn Quốc. Dự kiến sẽ bắt đầu hoạt động toàn diện vào giữa năm 2025, với tổng vốn đầu tư là 20 nghìn tỷ won vào năm 2030.
Với diện tích 109.000 mét vuông, NRD-K sẽ tập trung vào nghiên cứu cơ bản và phát triển sản phẩm trên các công nghệ bán dẫn bộ nhớ, logic… Khu phức hợp chứa các thiết bị tiên tiến, bao gồm hệ thống quang khắc cực tím (EUV) độ phân giải cao, các công cụ lắng đọng vật liệu tiên tiến và cơ sở hạ tầng liên kết wafer để tạo ra bộ nhớ thế hệ tiếp theo và các cấu trúc bán dẫn sáng tạo.
Samsung đặt mục tiêu biến Giheung thành trung tâm cho các hệ sinh thái chất bán dẫn tiên tiến bằng cách tận dụng NRD-K làm điểm tập trung hợp tác với các nhà cung cấp vật liệu, linh kiện và thiết bị tại địa phương.
Với NRD-K, Samsung thiết lập một hệ thống liền mạch từ nghiên cứu cơ bản đến sản xuất hàng loạt cho các công nghệ bán dẫn thế hệ tiếp theo, đẩy nhanh đáng kể tiến độ phát triển.
Xem thêm : Samsung began installing equipment at the NRD-K semiconductor R&D park
3. SK Siltron bảo đảm khoản vay 544 triệu đô la Mỹ để tăng sản lượng wafer SiC 8 inch vào năm 2025
SK Siltron của Hàn Quốc đã nhận được khoản vay 544 triệu đô la từ Bộ Năng lượng Hoa Kỳ DOE để hỗ trợ dự án nhà máy sản xuất wafer silicon carbide SiC tại Hoa Kỳ, với mục tiêu đạt được sản lượng hàng loạt wafer 8 inch vào năm 2025.
Theo các nguồn tin trong ngành vào ngày 13 tháng 11 năm 2024, công ty con của SK Siltron tại Hoa Kỳ, SK Siltron CSS, đã hoàn tất hợp đồng chính cho chương trình cho vay Sản xuất Xe công nghệ tiên tiến ATVM với DOE vào 05/11/2024. SK Siltron đã đồng ý nhận 544 triệu đô la tài trợ thương mại thông qua chương trình ATVM của DOE. Khoản vay ban đầu được chấp thuận có điều kiện, chờ đáp ứng các yêu cầu cụ thể về kỹ thuật, pháp lý, môi trường và tài chính. Trước đó, SK Siltron cũng đã nhận được 77 triệu đô la hỗ trợ từ chính quyền tiểu bang Michigan cho khoản đầu tư liên quan trị giá 300 triệu đô la vào việc mở rộng nhà máy sản xuất wafer SiC.
Từ năm 2021 đến năm 2026, SK Siltron có kế hoạch đầu tư 640 triệu đô la vào cơ sở Bay City, Michigan để tăng sản lượng wafer SiC lên hơn mười lần. Công ty sẽ chỉ sản xuất hàng loạt wafer SiC 150 mm (6 inch) nhưng đặt mục tiêu bắt đầu sản xuất wafer 200 mm (8 inch) vào năm 2025, với các khoản đầu tư liên tục vào nghiên cứu và phát triển để đạt được mục tiêu.
Xem thêm : SK Siltron secures US$544 million loan to increase 8-inch SiC wafer output by 2025